型号:NSBA144WDP6T5G | 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:SOT-963 | 描述:TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
---|---|
描述 | TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963 |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 100mA |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
电阻器_基极(R1)111欧222 | 47k |
电阻器_发射极(R2)111欧222 | 22k |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 80 @ 5mA,10V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 300µA,10mA |
电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
频率_转换 | - |
功率_最大 | 408mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
供应商设备封装 | SOT-963 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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